特点:非隔离降压型有源高效率 | 功率管:外置MOS | 规格: | 封装:SOT23-6L
概述:
特点:非隔离降压型有源高效率 | 功率管:集成MOS | 规格:280mA | 封装:SOP8/DIP8
概述:
特点:非隔离降压型有源高效率 | 功率管:集成MOS | 规格:220mA | 封装:SOP8/DIP8
概述:
特点:非隔离降压型有源高效率 | 功率管:集成MOS | 规格:180mA | 封装:SOP8
概述:
特点:非隔离降压型有源 | 功率管:集成MOS | 规格:120mA | 封装:SOP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:MOS外置 | 规格: | 封装:SOP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:MOS外置 | 规格: | 封装:SOT23-6L
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:集成MOS | 规格: | 封装:DIP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:集成MOS | 规格: | 封装:DIP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:集成MOS | 规格: | 封装:SOP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:集成MOS | 规格: | 封装:SOP8
概述:
特点:隔离原边反馈 | 功率管:集成MOS | 规格:- | 封装:SOP8
概述: